華虹半導體有限公司宣布，最新推出0.11微米超低漏電(Ultra-Low-Leakage，ULL)嵌入式閃存(eFlash)和電可擦可編程只讀存儲器(EEPROM)工藝平臺。該工藝平臺作為華虹半導體0.18微米超低漏電技術的延續，可為客戶提供一個完美兼具高性能、低功耗、低成本優勢于一身的差異化解決方案。

新推出的0.11微米超低漏電嵌入式閃存工藝平臺支持低至于1.08伏的操作電壓，小于0.2pA/μm的超低漏電。該平臺的存儲器IP具有10萬至50萬次擦寫次數、讀取速度達20ns等獨特優勢，尤其是，該技術的動態功耗達25uA/MHz，靜態功耗達50nA，可大幅提升電池壽命，延長時下最熱門的物聯網及可穿戴式設備的待機時間。該平臺還具有邏輯單元集成度高，包含電源管理單元等特點，門密度達到300K gate/mm2以上，能夠幫助客戶進一步縮小芯片面積。

該工藝平臺的最大特點是可在同一工藝中集成射頻(RF)、eFlash和EEPROM，24層光罩即可生成高性能、低功耗的0.11微米SoC(System-on-a-Chip)芯片，具備更小的面積、更低的功耗和更強的可靠性等顯著優勢，并降低設計、制造和測試成本。該工藝平臺擁有豐富多樣的嵌入式存儲器IP，同時也提供高密度存儲器編輯器(Memory Complier)和標準單元庫，可為客戶量身定制性價比優越、全面靈活的解決方案，加速客戶產品上市時間。

基于該工藝平臺生產的低功耗微控制器(MCU)主要適用于各種智慧節能型產品，例如物聯網、可穿戴式設備、智能電網、嵌入式智能互聯設備、醫療電子、照明，以及工業和汽車電子等方面的應用。

?0.11微米超低漏電嵌入式閃存工藝平臺成功集成了超低功耗的數�；旌霞夹g、嵌入式存儲技術及低成本的CMOS射頻技術，進而大幅提升客戶產品的市場競爭力。?華虹半導體執行副總裁孔蔚然博士表示，?與微控制器相輔相成的物聯網市場規模預期將由2013年的 250億美元增至2020年的602億美元。我們面向物聯網，成功推出0.11微米超低漏電嵌技術，進一步壯大了豐富多樣的低功耗嵌入式存儲器工藝平臺組合，充分滿足多元化市場需求。

(關鍵字：半導體 節能)