2021年，國內(nèi)進(jìn)口芯片金額近4400億美元，創(chuàng)下了歷史紀(jì)錄，要知道在所有的進(jìn)口的商品中，芯片金額占比高達(dá)28.6%，可見國內(nèi)對于國外的芯片有多依賴。

所以這幾年，大家有一個共同的希望，那就是國產(chǎn)芯片能夠崛起，能夠迅速的提高自給率，減少進(jìn)口。

而基于當(dāng)前大家都懂的外部形勢，要想真正的減少進(jìn)口，提高自給率，其實要求是國內(nèi)半導(dǎo)體供應(yīng)鏈能夠崛起，特別是半導(dǎo)體設(shè)備，能夠達(dá)到先進(jìn)工藝，這樣才不會被卡脖子。

那么問題就來了，目前所有國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備中，究竟哪一種是最落后的，最需要突破的?其實最落后的，就是大家最熟悉的光刻機。

我們知道芯片制造過程中，工序特別多，需要的半導(dǎo)體設(shè)備也特別多，但主要可以分為三個主要步驟，那就是單晶硅片制造、前道工序、

單晶硅片制造就是把砂子變成晶圓的過程，這一塊目前國內(nèi)有300mm的晶圓，可以用于10nm以下，所以這一塊的國產(chǎn)設(shè)備，并不落后。

而前道工序這里有8個主要流程，分別是擴散、薄膜沉積、光刻、刻蝕、離子注入、CMP拋光、金屬化、測試，所以至少有8種關(guān)鍵設(shè)備。

這8種關(guān)鍵設(shè)備里面，只有國產(chǎn)光刻機目前還在90nm，其它的設(shè)備大多到了28nm，甚至14nm的程度，有些甚至到了5nm，3nm，比如刻蝕機。

而后道工序主要是指封測這一塊，目前國內(nèi)有三大廠商，早就到了5nm，基本上國內(nèi)也是處于全球先進(jìn)水平的。

可見，綜合起來看，真正最拖后腿的就是國產(chǎn)光刻機了，還在90nm，而芯片制造是遵循短板理論的，能夠制造多少nm的芯片，取決于最落后的那一環(huán)，所以光刻機必須突破，所以永遠(yuǎn)拖后腿，嚴(yán)重阻礙國產(chǎn)芯片的崛起了。

(關(guān)鍵字：半導(dǎo)體)