RF Micro Devices, Inc. (RFMD)發(fā)表兩款高線性氮化鎵(GaN) RF 不匹配功率電晶體(UPT) RFHA3942 (35W) 及 RFHA3944 (65W)，提供相較於競爭性GaN 電晶體更卓越的線性效能。

RFHA3942 和RFHA3944 的發(fā)表是承繼先前推出的 RF393X 系列UPT ，其主要鎖定連續(xù)波(CW)和脈沖峰值功率應(yīng)用。全新系列的GaN 分離式放大器針對 back-off 作業(yè)或較低雜散性能的寬頻應(yīng)用而最佳化。RFMD 計劃在未來12個月內(nèi)進一步發(fā)表10W和95W線性 GaN 元件來提升其技術(shù)地位，以大幅擴充 RFMD 提供給客戶的氮化鎵UPT 產(chǎn)品選項。

RFMD 的高線性 GaN UPT 鎖定新型和現(xiàn)有要求更高寬頻線性性能的通訊架構(gòu)，以支援高峰值對平均值調(diào)變波形。 RFHA3942 和RFHA3944 在廣泛的頻率范圍(DC至4GHz)內(nèi)均為可調(diào)，并提供分別為35W和65W的CW峰值功率。其同樣提供了15dB高增益和>55%的高峰值效率。透過IS95 9.8dB PAR 訊號調(diào)整至2.1GHz， RFHA3942 可於34dBm POUT 達到-43dBc的相鄰?fù)ǖ拦β?ACP)，而 RFHA3944 則可於37dBm POUT 達到-54dBc ACP 。

此外，RFHA3942和RFHA3944 還於封裝輸入和輸出提供高終端阻抗，因此可在單一的放大器中達到寬頻增益和功率效能優(yōu)勢。RFHA3942 和 RFHA3944 采用法蘭瓷two-lead封裝，充分運用了RFMD的先進散熱片和電源散熱技術(shù)，以提供卓越的熱穩(wěn)定性和傳導(dǎo)性。

RFMD功率寬頻業(yè)務(wù)部副總裁暨總經(jīng)理Jeff Shealy表示：「RFMD非常高興擴大其GaN產(chǎn)品組合，透過業(yè)界的線性功率性能，以支援多樣化的終端市場。RFMD的氮化鎵產(chǎn)品組合清楚地說明了我們在技術(shù)和產(chǎn)品領(lǐng)先地位上持續(xù)性的承諾，我們期待推出更多具有卓越功率密度、高效率、堅固耐用，以及具備綠能電源優(yōu)勢的GaN 元件。

(關(guān)鍵字：GaN 線性 氮化鎵 線性氮化鎵 RFMD)