10月25日消息，據報道，東芝公司（ToshibaCorporation）宣布推出第二代采用硅基氮化鎵（GaN-on-Si）工藝打造的白色LED產品。“TL1F2系列”是在200mm硅晶圓上使GaN結晶生長制造而成。新產品計劃于2013年11月投入量產。

此前，東芝于2012年12月14日宣布，開發出了首款用于LED照明的白色LED芯片“TL1F1系列（1W）”。據東芝介紹，“TL1F2系列”在此基礎上，優化了解決方案以及提高了光學輸出功率。TL1F2系列色溫范圍為2700k到6500k，最小的顯色性指數(CRI)值分別為80年和70年，而104到135光通量范圍的LED（1W）取決于顏色、溫度和CRI。

這種GaN-on-Si型LED元件由東芝與普瑞光電（Bridgelux）共同開發。與目前普遍使用的藍寶石基板（GaN-on-Sapphire型）、碳化硅基板LED元件相比，擁有價格競爭力。

“TL1F2系列（1W）”的尺寸為6.4mm×5.0mm×1.35mm。350mA驅動時的標準光輸出電壓為2.85V。標準可控溫度范圍為-40到100°C。

LED可降低正向電壓（VF），屬于亞瓦型低功耗產品。該產品將以兩種封裝推出：采用3.0x1.4mm封裝的TL2FK系列以及采用3.0x3.0mm封裝的TL3GA系列。應用于一般照明光源，包括直管燈、燈泡、襯底燈光和天花燈。

特性總結如下：

1.采用硅基氮化鎵制程打造；

2.兩個系列產品分別以3.0x1.4mm和3.0x3.0mm兩種不同封裝推出；

3.低功耗。

據東芝稱，白色LED元件的市場規模在2011年為7000億日元，預計2016年度將達到1.25萬億日元。東芝將在白色LED方面推進產品開發并擴大銷量，力爭在2016年度獲得10％的市場份額。

(關鍵字：東芝 LED 氮化鎵)