Strategy Analytics砷化鎵和化合物半導(dǎo)體技術(shù)(GaAs)服務(wù)發(fā)布最新研究報(bào)告《半絕緣砷化鎵外延襯底市場預(yù)測：2012-2017》指出，砷化鎵器件市場緩慢增長以及應(yīng)用在蜂窩手機(jī)中的多頻砷化鎵功率放大器市場不斷增長，導(dǎo)致2012年砷化鎵外延襯底產(chǎn)量下滑。報(bào)告估計(jì)2012年市場對諸如IQE，VPEC，Kopin，威迅聯(lián)合半導(dǎo)體，日立電線，英特磊科技和住友集團(tuán)這些制造商生產(chǎn)的半絕緣砷化鎵外延襯底的整體需求達(dá)近2，900萬平方英寸，比去年同期下滑近5%。報(bào)告預(yù)測市場對砷化鎵器件需求放緩意味著對砷化鎵外延襯底需求的緩慢增長，到2017年砷化鎵外延襯底產(chǎn)量略超過3，160萬平方英寸。

Strategy Analytics砷化鎵和化合物半導(dǎo)體技術(shù)服務(wù)（GaAs）總監(jiān)Eric Higham評論到：“2012年砷化鎵外延襯底產(chǎn)量下滑同時(shí)打擊了MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)和MBE(Molecular Beam Epitaxy)的架構(gòu)，但對兩者的影響是不同的。經(jīng)歷了2011年的急劇增長后，2012年MOCVD材料產(chǎn)量下跌近7%。我們的研究結(jié)果表明，經(jīng)歷了前兩年的重創(chuàng)后，MBE的產(chǎn)量更加穩(wěn)定，跌幅略低于1%。”

Strategy Analytics戰(zhàn)略技術(shù)實(shí)踐(STP)總監(jiān)Asif Anwar補(bǔ)充到：“MOCVD產(chǎn)量下滑表明應(yīng)用在手機(jī)中的多頻功率放大器的增長趨勢。我們認(rèn)為，MBE能夠用于其它應(yīng)用程序，而MBE產(chǎn)量卻小幅下滑。這表明大部分的手機(jī)開關(guān)向其它技術(shù)的轉(zhuǎn)換已結(jié)束。”

Strategy Analytics按照直徑，地理位置，外延加工技術(shù)，應(yīng)用和供應(yīng)商五大維度對半絕緣砷化鎵外延襯底細(xì)分市場進(jìn)行預(yù)測，同時(shí)探討了這些細(xì)分市場的趨勢和近期發(fā)展動(dòng)態(tài)。

(關(guān)鍵字：鎵 砷化鎵 外延襯底 產(chǎn)量)