事件:7月3日,公司正式公告定增上市情況,本次定增面向20家機構共配售80,229,335股,募資近82億元。

大基金二期獲配25億,占比30.46%。公司本次定增最終確定20家配售機構,共發行股數80,229,335股,發行價格102.29元/股,募集資金近82億元,其中大基金二期獲配24,440,316股,占比30.46%。定增注資將進一步助力公司產能擴充、產品技術升級、以及產品品類擴充,賦能公司集成電路設備、非半導體設備、泛半導體設備三維生長戰略。

31.7億元投資臨港、南昌基地,用于產能擴充及品類升級。臨港基地承擔現有產品改進升級、新產品開發生產及產能擴充任務,預計2022年12月完工;南昌基地承擔較為成熟產品的大規模量產及部分產品的研發升級工作,預計2022年4月完工。項目擬擴充和升級的產品類別為等離子體刻蝕設備、MOCVD設備、熱化學CVD設備等新設備、環境保護設備,相應產能規劃分別為630腔/年、120腔/年、220腔/年、180腔/年。

37.5億元投資臨港總部和研發中心,聚焦新品研發。臨港總部和研發中心預計2023年6月完工。研發規劃上,CCP方面,將聚焦128層及以上3D NAND極高深寬比、14nm及以下邏輯器件的大馬士革刻蝕產品;ICP方面,聚焦下一代單反應臺Nanova+、雙反應臺Twin-Star+、及ALE原子層刻蝕設備的開發與應用;MOCVD方面,將聚焦碳化硅功率器件外延生產設備;熱化學CVD方面,將聚焦HPCVD、導體薄膜LPCVD、ALD、EPI等。

30.8億元科技儲備資金,助力公司三維生長。科技儲備資金將用于新產品協作開發及對外投資并購。協作開發將聚焦紅黃光MOCVD、OLED生產設備、化學薄膜沉積設備、光學檢測設備;對外投資則涉及量測及過程控制、化學拋光、清洗、封測、OLED生產、三代半導外延生長、太陽能電池PECVD、激光刻蝕等多領域,彰顯公司三維生長決心。

風險提示:(1)下游擴產不及預期;(2)產品研發不及預期;(3)行業景氣度不及預期。

國產半導體設備的意義:硬科技是要素創新,是科技發展的底層源動力,是一種縱向的探索式創新,從上往下依次劃分為三個層級,分別是:淺層要素(云、系統軟件、服務器、芯片設計)、中層要素(代工、封測、制造、存儲)、深層要素(半導體設備),半導體設備是硬科技的底盤,決定了晶圓代工行業內循環為主、外循環為輔的實現水平。

我們將技術分為四個層次:根技術、干技術、枝技術、葉技術,其中處于支配地位的就是根技術,而半導體設備在根技術中具備支配地位。

我們將科技股分為兩類:

1、科技觀,雙重維度:我們從兩個維度定義科技股,第一種是基于技術的要素創新(硬科技),另外一種是基于模式的場景創新(軟科技)。基于要素創新的公司主要分布在半導體和底層軟件領域,他們突破現有的技術瓶頸,不斷的拓展要素的技術邊界,從而實現技術的深層次進步,我們稱之為硬科技;

基于模式創新的公司主要集中在互聯網和各類集成商領域,他們基于現有的科技要素,進行模式的匹配和組合,并應用于各種場景,我們稱之為軟科技。

2、硬科技,要素創新:是科技發展的底層源動力,是一種縱向的探索式創新,從上往下依次劃分為三個層級,分別是:淺層要素(云、系統軟件、服務器、芯片設計)、中層要素(代工、封測、制造、存儲)、深層要素(芯片設備、材料、IP/EDA)。

而這三層硬科技歸根結底來源于數學、物理、化學、材料等基礎科學。對于技術邊界的拓展,這些基礎設施背后的要素創新,自上而下,層次越深,難度越大,中國與國外的差距也越大。

目前,我國已經在部分領域開始有所突破,但是與國外先進水平相比差距仍存。華為目前已提出將在半導體全面布局,從深層要素通過新工藝、新材料緊密聯動,實現全棧要素創新。國內外硬科技代表公司是半導體設備(應用材料、北方華創)。

半導體設備是中國實現科技自強的根本,是實現外循環的內在條件。

我們認為未來的格局將是:

1、成熟工藝=內循環為主+外循環為輔

2、先進工藝=外循環為主+內循環為輔

淺層要素,主要以基礎軟件、芯片設計為代表,基礎軟件具有傳統互聯網行業的特質“平臺+硬件+軟件”。主要包括了承載終端場景的云平臺,數據庫、操作系統、應用軟件的軟件群以及服務器、數據中心等硬件設備。云和芯片設計作為連接應用場景和中層要素的接口。

中層要素,主要以代工制造、封裝測試為代表,是淺層要素的載體,也是深層要素的集合。相比較淺層要素追逐摩爾定律,中層要素更需要時間的積累,制程演進推動相關技術持續突破,不斷拓展要素的技術邊界,實現技術進步。

深層要素,主要以底層軟件、設備、材料為代表。深層要素的缺失將會為中層要素的崩塌埋下隱患,使得淺層要素處于空中樓閣的狀態。近年來,美國實體清單、日韓貿易爭端都說明了要素創新必須實現深層要素的國產化才能實現全棧要素創新。

此輪半導體設備周期有何不同?

半導體設備的周期:本輪是朱格拉周期(設備投資周期)+國產替代周期+創新周期+庫存周期,是四個周期的疊加,與上一輪以泛半導體為主的投資周期不同,這次是以集成電路投資為主線的全新機遇。

此輪國產設備周期背后是兩個周期的疊加:

1、朱格拉周期也叫設備投資周期,其背后就是中國的產業升級周期。

2、下游庫存周期的逆向傳導,從創新傳遞到庫存,然后傳遞到設備投資。目前這兩個周期都在啟動的早期:

我們先回顧上一輪朱格拉周期(2009～2019),中國的半導體建設主要集中在泛半導體領域,中國大陸通過十年密集的順周期+逆周期的投資將面板、光伏、LED、消費電子制造、新能源均發展成全球前列,分別在半導體能源(光伏)、半導體照明(LED)、半導體顯示(面板)培育出了隆基股份、三安光電、京東方三大世界龍頭。

下一輪朱格拉周期(2020～2030),中國將在集成電路領域進行巨額投資,以存儲(DRAM、NAND)、晶圓代工(成熟工藝為主、先進工藝為輔)、第三代化合物半導體為主。這就是國產設備的黃金紅利期。

與前一輪周期相比,此輪周期有兩個不一樣:

1、國產設備的參與度大幅提升。上一輪周期由于裝備基礎薄弱問題,雖然在光伏設備領域培育出了晶盛機電和北方華創,LED設備領域的北方華創和中微公司,但是在面板領域,絕大多數設備都來自海外,錯失了一輪行業紅利。僅京東方一家公司在此輪擴產周期中就投資超過2000億元,但其中絕大多數都是國外設備,北方華創作為旗艦龍頭,僅僅供應部分,占比極其有限。

2、國產設備的投資金額巨大,此輪設備投資周期的金額將數倍于上一輪泛半導體,此輪朱格拉周期是以集成電路為主,國內產業已經開始在低端和成熟工藝匹配,除了光刻環節,已經在PVD、CVD、刻蝕機、氧化設備、ALD、清洗設備、量測設備逐漸匹配。

(關鍵字：半導體)