據外媒報道，英特爾收購以色列芯片公司高塔半導體 (Tower Semiconductor)的計劃即將完成，預計收購金額為60億美元。這是英特爾為加強其芯片代工業務采取的最新措施，以完成公司更多的芯片制造計劃。

有知情人士稱，假設談判沒有破裂，該收購協議最早可能在本周公布。由于 Tower 的市值約為 36 億美元，這筆交易可能包括巨額溢價。

據了解，Tower 位于以色列北部拿撒勒附近的 Migdal HaEmek，該公司生產的半導體和電路廣泛應用于汽車、消費產品、醫療和工業設備等領域。高塔半導體顯示，該公司在以色列、加州、得州和日本設有制造工廠。

值得一提的是，英特爾曾在去年1月21日宣布，將投資 200 億美元在美國的俄亥俄州建設兩個芯片工廠，預計將于 2025 年開始運營。這兩個工廠是更龐大芯片制造中心項目的一環，據路透社消息，英特爾 CEO 帕特?基辛格表示，未來將投資最多 1000 億美元，建設全球最大的芯片制造中心。

這一戰略的目的是解決全球缺芯問題，恢復英特爾在芯片領域的領導地位，此外減少美國對于亞洲芯片工廠的依賴。

目前全球范圍內的芯片短缺已經影響到從智能手機到汽車等各個領域的產品。英特爾此舉不僅是為了提高芯片產能，也是首席執行官帕特·蓋爾辛格(Pat Gelsinger)重振英特爾在芯片制造領域領先地位的戰略組成部分。

蓋爾辛格表示，200億美元的先期投資是俄亥俄州歷史上最大規模的投資，將在新奧爾巴尼占地1000英畝(約合400公頃)的土地上創造3000個就業機會。他表示，這一數字可能會增至1000億美元，共建設8家制造工廠，也將是俄亥俄州有記錄以來最大的投資。

英特爾 CEO 基辛格還表示，即使沒有美國政府的資金支持，英特爾仍會選擇俄亥俄州建設新工廠，只不過進度不會那么快。

芯片產品性能超越蘋果及AMD

據了解，英特爾CEO基辛格在去年對公司的商業模式進行了一系列的戰略革新，宣布英特爾正式進入IDM2.0模式，使用第三方芯片代工廠為自身工藝進行補充，并加速提升自身芯片制造能力，基辛格在今年7月份的時候表示，要帶領英特爾重回巔峰地位。

在今年舉辦的CES 2022大會上，英特爾發布了自家 12 代酷睿處理器的移動端產品，從低壓 U 系列到標壓 H 系列，產品線十分豐富。

除此之外，在2021年12月，特爾CEO基辛格乘坐私人飛機抵達臺灣，與臺積電高層商討其與臺積電的7nm、5nm、4nm的芯片代工后續合作事務，提前預定好臺積電的3nm先進制程工藝。英特爾預計在2023年推出其最強的中央處理器Meteor Lake，并打算將該處理器的繪圖芯片交由臺積電的3nm制程工藝代工制造。

成功搶下ASML新一代EUV光刻機

在2021年7月底的“英特爾加速創新：制程工藝和封裝技術線上發布會”上，英特爾就已經宣布將在2024年量產20A工藝(相當于臺積電2nm工藝)，并透露其將率先獲得業界第一臺High-NA EUV光刻機。ASML TWINSCAN EXE：5200光刻機的首份訂單正是來自于英特爾。

英特爾全球技術開發團隊負責人Ann Kelleher透露，英特爾與ASML一直以來都是長期的戰略合作伙伴，關系非常密切，并且英特爾還參與了High-NA EUV光刻機的定義與構建，在High-NA EUV光刻機實現量產的過程中，需要構建一個以該設備為中心的完整的供應鏈生態，包括光刻膠、掩模生成、蒙版加附、計量檢測等，英特爾為構建這個生態系統付出了很大努力。

在今年1月19日，ASML正式發布了其2021年第四季度和全年財務業績，并宣布英特爾成為首個向ASML發出TWINSCAN EXE：5200極紫外光刻機系統訂單的公司。據了解，TWINSCAN EXE：5200 是ASML新研發的光刻機，提供了 0.55 數值孔徑，相較于前代 EUV 光刻機的 0.33 數值孔徑透鏡的精度有所提高，可以為更小的晶體管功能提供更高分辨率的模式。

ASML總裁兼首席技術官Martin van den表示，英特爾對ASML在High-NA EUV技術的遠見和早期承諾證明了對摩爾定律的不懈追求。與目前的EUV系統相比，ASML的擴展EUV路線圖以更低的成本、時間周期和架構等方面提供了持續的改進，這將推動芯片行業未來十年發展的動力所在。

對于英特爾來說，搶先獲得ASML TWINSCAN EXE：5200光刻機，正是英特爾篤定其制程工藝能夠超越臺積電、三星重回領先地位的關鍵。再加上英特爾進一步收購半導體企業，持續推出性能強勁的新一代產品，投資新建芯片工廠的行動，其重回半導體企業巔峰地位的計劃有望實現。

(關鍵字：半導體)