6月29日，在浙江瑞安召開的2023國(guó)際新能源智能網(wǎng)聯(lián)汽車創(chuàng)新生態(tài)大會(huì)上，中國(guó)工程院院士丁榮軍表示，以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體技術(shù)(包括Si-IGBT與SiC二極管相結(jié)合的技術(shù))已經(jīng)開始獲得應(yīng)用，并具有很大的性能及市場(chǎng)潛力，將在未來(lái)十年獲得高達(dá)年復(fù)合20%以上的快速增長(zhǎng)。

丁榮軍指出，在電動(dòng)汽車的應(yīng)用驅(qū)動(dòng)、性價(jià)比權(quán)衡、消費(fèi)慣性等因素影響下，未來(lái)十年Si-IGBT仍將是功率半導(dǎo)體器件的主流，并將與碳化硅功率器件長(zhǎng)期并存。

丁榮軍預(yù)測(cè)，隨著硅基材料逐漸逼近其物理極限，功率半導(dǎo)體將朝著更高的禁帶寬度、熱導(dǎo)率和材料穩(wěn)定性等方向發(fā)展，功率器件技術(shù)演進(jìn)將助力新能源汽車向高性能、充電快、長(zhǎng)續(xù)航等方向發(fā)展。

(關(guān)鍵字：半導(dǎo)體)